烜芯微生产75N80场效应管,提供75N80的参数规格书,75N80中文资料与75N80场效应管的引脚图
75N80场效应管参数具体如下：
极性：N沟通
Power Dissipation(w)功耗：170W
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：80A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：75V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±25V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：2V~ 4V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=30A,VGS=10V：Typ 6.5mΩ Max 8mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=A,VGS=V：Typ mΩ Max mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 175℃
75N80场效应管封装为：TO-252
作用与应用
75N80场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。75N80广泛应用于以下领域：
电源管理：75N80可用作低压降开关，用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。
信号放大：在音频放大器和低频放大器中，75N80可以作为信号放大的关键部件。
开关控制：在各种开关电路中，如LED灯控制、电机控制等，75N80能提供高效的开关控制功能。
模拟开关：在模拟电路中，75N80可以作为开关管，用于模拟信号的控制和处理。
