烜芯微生产65N04F场效应管,提供65N04F的参数规格书,65N04F中文资料与65N04F场效应管的引脚图
65N04F场效应管参数具体如下：
极性：N沟通
Power Dissipation(w)功耗：39W
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：65A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：40V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±20V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：1.35V~ 3V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=12A,VGS=10V：Typ 5.5mΩ Max 7.5mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=10A,VGS=4.5V：Typ 8mΩ Max 13mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 150℃
65N04F场效应管封装为：PDFN5*6-8L
作用与应用
65N04F场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。65N04F广泛应用于以下领域：
电源管理：65N04F可用作低压降开关，用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。
信号放大：在音频放大器和低频放大器中，65N04F可以作为信号放大的关键部件。
开关控制：在各种开关电路中，如LED灯控制、电机控制等，65N04F能提供高效的开关控制功能。
模拟开关：在模拟电路中，65N04F可以作为开关管，用于模拟信号的控制和处理。
