20N02S场效应管参数
烜芯微生产20N02S场效应管,提供20N02S的参数规格书,20N02S中文资料与20N02S场效应管的引脚图
20N02S场效应管参数具体如下：
极性：N沟通
Power Dissipation(w)功耗：38W
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：20A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：20V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±20V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：0.4V~ 1V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=10A,VGS=4.5V：Typ 4.8mΩ Max 6.5mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=5A,VGS=2.5V：Typ 6.8mΩ Max 10mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 150℃
20N02S场效应管封装为：SOP-8
作用与应用
20N02S场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。20N02S广泛应用于以下领域：
电源管理：20N02S可用作低压降开关，用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。
信号放大：在音频放大器和低频放大器中，20N02S可以作为信号放大的关键部件。
开关控制：在各种开关电路中，如LED灯控制、电机控制等，20N02S能提供高效的开关控制功能。
模拟开关：在模拟电路中，20N02S可以作为开关管，用于模拟信号的控制和处理。
